IXFN 340N07
250
Fig. 7. Input Admittance
180
Fig. 8. Transconductance
200
150
T J =25 °
120
150
100
50
0
T J = -40 ° C
25 ° C
125 ° C
90
60
30
0
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
40
80 120 160
200
240
-240
V GS - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-
Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
-200
-160
8
6
V DS =50V
I D =100A
I G =10mA
-120
-80
-40
0
T J =125 ° C
T J =25 ° C
4
2
0
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
0
100
200
300
400
500
100000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Q G - nanoCoulom bs
Fig. 12. Transient Thermal Resistance
1
f=100kHz
0.1
Ciss
10000
Coss
1000
Crss
0.01
0.001
0
10
20
30
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - milliseconds
相关PDF资料
IXFN34N100 MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
IXFN34N80 MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
IXFN360N10T MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
IXFN360N15T2 MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
IXFN36N100 MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
IXFN36N110P MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
IXFN38N100P MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
IXFN40N110P MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
相关代理商/技术参数
IXFN340N07_04 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET⑩ Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN34N100 功能描述:MOSFET 34 Amps 1000V 0.28 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN34N80 功能描述:MOSFET 34 Amps 800V 0.24 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN35N50 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFN360N10T 功能描述:MOSFET 360 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN360N15T2 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXFN36N100 功能描述:MOSFET 1KV 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN36N110P 功能描述:MOSFET 36 Amps 1100V 0.2400 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube